TC58NVG1S3HTAI0是东芝的一款单电源3.3V、容量 2 Gbit 的 NAND电可擦可编程只读存储器，也就是常说的 NAND E2PROM。它的容量换算为 2,281,701,376 位，组织方式为 (2048 + 128) 字节 × 64 页 × 2048 块。该器件内部有两个2176 字节的静态寄存器，可以在寄存器和存储单元阵列之间以 2176 字节为单位传输程序数据和读取数据。擦除操作以单块执行，一个块对应 128 Kbyte + 8 Kbyte，也就是 2176 字节 × 64 页。这个结构决定了 NAND 烧录不能像普通 EEPROM 那样随意按字节改，而要先按块擦除，再按页编程，最后读回校验。

TC58NVG1S3HTAI0 采用串行类型存储器设计，利用 I/O 引脚进行地址、数据输入/输出以及命令输入。命令、地址、数据分时复用同一组 I/O，擦除和编程操作可以自动执行。使该器件非常适合用于固态文件存储、语音记录、用于数码相机的图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。

主要特性：

组织x8 

存储单元阵列2176 × 128K × 8 

寄存器2176 × 8 

页大小2176 字节

块大小 (128K + 8K) 字节

模式读取，重置，自动页编程，自动块擦除，状态读取，页复制，多页编程，多块擦除，多页复制，多页读取

模式控制串行输入/输出 命令控制

有效区块数量最少2008 个区块 最多 2048 个区块

电源VCC = 2.7V 到 3.6V

访问时间

单元数组寄存器：最大25 微秒

串行读取周期：25 ns 最小 (CL=50pF)

编程/擦除时间

自动页程序:典型每页 300 微秒 

自动块擦除:每块典型 2.5 毫秒

工作电流

读取（25 ns 周期）:最大 30 毫安 

程序（平均）:最大 30 毫安 

擦除（平均）:最大 30 毫安 

待机: 最大 50 微安

封装TSOP I 48-P-1220-0.50（重量：典型 0.53 克）

每512字节需要8位ECC

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足TOSHIBA东芝系列TC58NVG1S3HTAI0芯片的裸片离线烧录与在板烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。