TC58NVG2S0HBAI4是TOSHIBA东芝的一款单电源3.3V、4Gbit容量的NAND非易失性存储器件。该芯片容量为4,563,402,752位。该器件的存储组织形式为：（4096 + 256）字节 × 64页 × 2048块。每页包含4096字节主数据区和256字节备用区，每64页组成一个块。

该器件配备两个4352字节的静态寄存器，外部设备可以按照4352字节为单位，在静态寄存器与存储单元阵列之间完成数据编程和读取。TC58NVG2S0HBAI4的擦除操作以单块为基本单位，每个块包含64页，每页为4352字节，因此单块结构为：4352字节 × 64页。

从接口形式来看，TC58NVG2S0HBAI4属于串行存储器件。芯片通过I/O引脚完成地址输入、数据输入输出以及命令输入，擦除和编程操作会自动执行，使该设备非常适合用于固态文件存储、语音记录、数码相机的图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储数据的系统。

主要特性：

组织x8 

内存单元阵列4352 × 128K × 8 

寄存器4352 × 8 

页面大小4352 字节

块大小(256K 16K) 字节

模式读取，重置，自动页编程，自动块擦除，状态读取，页复制，多页编程，多块擦除，多页复制，多页读取

模式控制串行输入/输出 命令控制 

有效块数量最少2008 块 最多 2048 块 

电源VCC = 2.7V 到 3.6V

访问时间

单元数组寄存器最大25 微秒 

串行读取周期最小25纳秒 (CL=50pF)

编程/擦除时间 

自动页面编程每页典型300 微秒

自动块擦除每块典型2.5 毫秒

工作电流

读取（25 ns 周期） 最大30 mA 

程序（平均）最大30 mA 

擦除（平均）最大30 mA 

待机最大50 µA

封装P-TFBGA63-0911-0.80CZ（重量：典型 0.15 克）

每512字节需要8位ECC。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。