TC58BYG0S3HBAI6通过I/O引脚复用完成命令输入、地址输入以及数据输入输出。

在不同操作阶段，同一组I/O引脚会承担不同功能：

命令阶段用于接收读取、编程和擦除指令；
地址阶段用于输入列地址和页面地址；
数据阶段用于传输页面内容或状态信息。

TC58BYG0S3HBAI6采用NAND Flash常见的“按页编程、按块擦除”方式。NAND Flash通常不能直接覆盖已经编程的数据。需要修改某一页面时，一般应先擦除其所在数据块，再重新写入需要保留和更新的页面。

TC58BYG0S3HBAI6内部控制器能够自动执行编程与擦除操作。使该器件非常适合用于固态文件存储、语音录制、数码相机的图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储的系统。

主要特性：

组织结构x 8 

内存单元阵列2112 × 64K × 8 

寄存器2112 × 8 

页面大小2112 字节

块大小（128K × 4K）字节 

模式：读取，复位，自动页面编程，自动块擦除，状态读取，页面拷贝，ECC状态读取 

模式控制：串行输入/输出 命令控制 

有效块数量

最小1004 块 

最大1024 块 

电源VCC = 1.7V 到 1.95V

访问时间

单元阵列到寄存器40 µs 典型 

串行读取周期25 ns 最小（CL=30pF）

编程/擦除时间 

自动页面编程330 µs/页（典型值）

自动块擦除 3.5 ms/块 （典型值） 

工作电流

读取（25 ns 周期）最大 30 mA

编程（平均）最大30 mA

擦除（平均）最大30 mA 

待机最大50 µA

封装P-VFBGA67-0608-0.80-001（重量：典型 0.095 g）

每528 字节实现 8 位 ECC 芯片上

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足TOSHIBA东芝TC58BYG0S3HBAI6芯片的裸片离线烧录需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。