K9F1GXXX0M系列是SAMSUNG的一款面向固态大容量存储市场的NAND闪存。它提供128Mx8bit或64Mx16bit两种版本，总容量达到1G位，并配备了32M位的备用容量。

数据处理速度方面，在2112字节（X8设备）或1056字（X16设备）的页面上，典型的编程操作仅需300微秒（300µs）就能完成；而在128K字节（X8设备）或64K字（X16设备）的块上，典型的擦除操作也仅需2毫秒（2ms）即可完成；数据页中的数据读取，可以以每字节（X8设备）或每字（X16设备）50ns（1.8V设备为80ns）的周期时间读取，数据传输非常顺畅。

K9F1GXXX0M系列是SAMSUNG的一款面向固态大容量存储市场的NAND闪存。它提供128Mx8bit或64Mx16bit两种版本，总容量达到1G位，并配备了32M位的备用容量。

数据处理速度方面，在2112字节（X8设备）或1056字（X16设备）的页面上，典型的编程操作仅需300微秒（300µs）就能完成；而在128K字节（X8设备）或64K字（X16设备）的块上，典型的擦除操作也仅需2毫秒（2ms）即可完成；数据页中的数据读取，可以以每字节（X8设备）或每字（X16设备）50ns（1.8V设备为80ns）的周期时间读取，数据传输非常顺畅。

主要特性：

1.8V 设备(K9F1GXXQ0M)：1.70V~1.95V

2.65V 设备(K9F1GXXD0M)：2.4~2.9V 

3.3V 设备(K9F1GXXU0M)：2.7V ~ 3.6V存储单元阵列X8 设备(K9F1G08X0M)：(128M + 4,096K) 位 x 8 位X16 设备(K9F1G16X0M)：(64M + 2,048K) 位 x 16 位数据寄存器X8 设备(K9F1G08X0M)：(2K + 64) 位 x 8 位X16 设备(K9F1G16X0M)：(1K + 32) 位 x 16 位缓存寄存器X8 设备(K9F1G08X0M)：(2K + 64) 位 x 8 位X16 设备(K9F1G16X0M)：(1K + 32) 位 x 16 位页编程X8 设备(K9F1G08X0M)：(2K + 64) 字节X16 设备(K9F1G16X0M)：(1K + 32) 字块擦除X8 设备(K9F1G08X0M)：(128K + 4K) 字节X16 设备(K9F1G16X0M)：(64K + 2K) 字页大小X8 设备(K9F1G08X0M)：2K 字节

X16 设备(K9F1G16X0M)：1K 字随机读：最大 25µs串行访问：最小 50ns

编程时间：300µs（典型值）

块擦除时间：2ms（典型值）

命令/地址/数据多路复用I/O端口

电源转换期间的程序/擦除锁定

可靠的CMOS浮动门技术

耐久性：10万次程序/擦除循环

数据保持时间：10年 

命令寄存器操作

高性能编程的缓存编程操作

上电自动读取操作

智能回写操作

唯一ID用于版权保护 

封装：K9F1GXXX0M-YCB0/YIB0 48引脚 TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm间距) K9F1G08U0M-VCB0/VIB0 48引脚 WSOP I (12 x 17 x 0.7mm) 

K9F1GXXX0M-PCB0/PIB0 48引脚 TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm间距) 无铅封装K9F1G08U0M-FCB0/FIB0 48引脚 WSOP I (12 x 17 x 0.7mm) 无铅封装 

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG  K9F1GXXX0M系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。