K9XXG08XXB系列是SAMSUNG一款 4G位 NAND 闪存，面向大容量非易失性存储应用市场。它采用512M×8位存储配置，同时配备128M位备用存储空间，且提供提供了2.7V和3.3V两种Vcc版本，满足不同电路设计的需求。

数据处理速度方面，在(2K+64)Byte页面上，典型的编程操作仅需200微秒（200µs）就能完成；而在(128K+4K)Byte块上，典型的擦除操作也仅需1.5毫秒（1.5ms）即可完成；数据寄存器中的数据读取，可以以每字节25纳秒（25ns）的周期时间读出，数据传输流畅。

它的I/O引脚设计，既可作为地址和数据的输入/输出端口，也可作为命令输入端口。片上写入控制器会自动处理所有编程和擦除功能，包括必要的脉冲重复、内部验证以及数据边界处理。对于写入密集型系统，K9F4G08X0B凭借自身高达10万次的编程/擦除循环扩展可靠性，结合实时映射算法的ECC（错误纠正码）机制，保障数据的准确性和稳定性。正因如此，K9XXG08XXB系列广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性存储的便携应用等领域。

主要特性：

2.7V 设备(K9F4G08B0B) : 2.5V ~ 2.9V 

3.3V 设备(K9F4G08U0B) : 2.7V ~ 3.6V

2.7V 设备(K9F4G08B0B) : 2.5V ~ 2.9V

3.3V 设备(K9F4G08U0B) : 2.7V ~ 3.6V

存储单元阵列: (512M + 16M) x 8位 

数据寄存器: (2K + 64) x 8位 

页编程: (2K + 64)字节 

块擦除: (128K + 4K)字节

页大小: (2K + 64)字节 

随机读取: 最多25µs 

串行访问: 最少25ns

页面编程时间：200µs（典型值）

块擦除时间：1.5ms（典型值）

命令/地址/数据复用I/O端口 

硬件数据保护

电源转换期间程序/擦除锁定 

可靠的CMOS浮栅技术

耐用性：100K次程序/擦除循环（每528字节1位ECC）

数据保持：10年

命令驱动操作

独特ID用于版权保护 

封装：K9F4G08B0B-PCB0/PIB0 48引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm间距）K9F4G08U0B-PCB0/PIB0 48引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm间距） 

K9F4G08U0B-ICB0/IIB0 52引脚 ULGA（12 x 17 / 1.00 mm间距）-

K9K8G08U1B-ICB0/IIB0 52引脚 ULGA（12 x 17 / 1.00 mm间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG  K9XXG08XXB系列K9F4G08U0B-PIB0、K9F4G08U0B-PCB0、K9F4G08U0B-BIB0、K9F4G08U0C-PIB0、K9F4G08U0B-BCB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。