K9XXG08UXM系列是SAMSUNG一款容量为8G的NAND存储器，它提供1G x 8位的规格，还配备了256M-bit的备用容量，主要面向为固态应用市场。在(2K+64)字节的页上，典型的编程操作仅需200微秒（200µs）就能完成；而在(128K+4K)字节的块上，典型的擦除操作也仅需1.5毫秒（1.5ms）即可完成，数据寄存器中的数据可以以每字节 25 纳秒的周期时间被读取。

该系列的I/O引脚，既是地址和数据输入/输出端口，也是命令输入端口，确保芯片与外部设备之间的通信高效有序。片上写入控制器会自动完成所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部验证和边界检查。

对于写入密集型系统，K9K8G08U0M凭借自身提供的10万次编程/擦除周期的扩展可靠性，结合带有实时映射算法的ECC（错误纠正码），保障数据的准确性和稳定性。此外，它还提供了一种超高密度解决方案，将两个8Gb芯片堆叠并配有两个芯片选择线，采用标准TSOP-I封装，进一步满足了不同场景下对存储密度的需求。正因如此，K9XXG08UXM系列广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携应用等领域。

主要特性：

电压供应：2.70V ~ 3.60V

存储单元阵列：(1G + 32M) x 8位 

数据寄存器：(2K + 64) x 8位

页编程：(2K + 64)字节

块擦除：(128K + 4K)字节 

页大小：(2K + 64)字节

随机读取：最大20µs 

串行访问：最小25ns

页面编程时间：200µs（典型值）

块擦除时间：1.5ms（典型值）

命令/地址/数据复用 I/O 端口 

硬件数据保护

电源切换期间程序/擦除锁定

可靠的CMOS 浮栅技术 

耐用性：100K 编程/擦除周期（带 1bit/512Byte ECC）

数据保持：10 年 

命令驱动操作

智能回写，带内部1bit/528Byte EDC

用于版权保护的唯一ID 

封装：K9K8G08U0M-YCB0/YIB0 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距） K9K8G08U0M-PCB0/PIB0：无铅封装 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）K9WAG08U1M-YCB0/YIB0 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）K9WAG08U1M-PCB0/PIB0：无铅封装 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）K9WAG08U1M-ICB0/IIB0 52 引脚 TLGA（12 x 17 / 1.0 mm 间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG   K9XXG08UXM系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。