K9XXG08UXB系列是SAMSUNG一款容量为1G-bit的NAND存储器，并配备了32M-bit备用空间，主要面向固态存储应用市场。数据处理速度方面，在(2K+64)字节页面上，典型的编程操作仅需200微秒（200µs）就能完成；而在(128K+4K)字节块上，典型的擦除操作也仅需1.5毫秒（1.5ms）即可完成；数据寄存器中的数据读取，可以以每字节25纳秒（25ns）的周期时间读出。

该芯片的I/O引脚设计，即可用作地址和数据的输入/输出端口，也可用作命令输入。片内写入控制器，会自动完成所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部验证和边界检查，让芯片内部的数据处理工作有条不紊地进行。

对于写入密集的系统，K9F1G08U0B凭借自身提供的100K次编程/擦除循环的扩展可靠性，结合带有实时映射算法的ECC（错误校正码），为数据的准确性和稳定性保驾护航，正因如此，K9XXG08UXB系列成为大容量非易失性存储应用的最佳选择，广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用等领域。

主要特性：

3.3V 设备 (K9F1G08U0B)：2.70V ~ 3.60V

存储单元阵列: (128M + 4M) x 8位 

数据寄存器: (2K + 64) x 8位

页编程：（2K + 64）字节 

块擦除：（128K + 4K）字节

页大小：（2K + 64）字节

随机读取：25微秒（最大）

串行访问：25纳秒（最小）

页面编程时间：200µs（典型值）

块擦除时间：1.5ms（典型值）

命令/地址/数据复用I/O端口 

硬件数据保护

电源切换期间的程序/擦除锁定

可靠的CMOS浮栅技术 

耐久性：10万次程序/擦除循环（带1bit/512字节ECC）
数据保持：10年
命令驱动操作
内部1bit/528字节EDC智能回写
版权保护唯一ID
封装： K9F1G08U0B-PCB0/PIB0：无铅封装 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 节距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG   K9XXG08UXB系列K9F1G08U0B-PCB0、K9F1G08U0B-PIB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。