K9F4G08U0A 系列是SAMSUNG一款容量为4bit的NAND闪存，并配备128Mbit备用空，主要面向大容量非易失性存储应用。K9F4G08U0A系列的页面容量为（2K+64）字节，其中2K字节为主数据区域，64字节为备用区。典型页面编程时间约为200µs。该芯片以（128K+4K）字节为一个擦除块，其中128K字节为主数据区域，4K字节为对应的备用空间，典型块擦除时间约为1.5ms。K9F4G08U0A数据寄存器中的内容，可以按照每字节约25ns的周期时间读出。

K9F4G08U0A 系列是SAMSUNG一款容量为4bit的NAND闪存，并配备128Mbit备用空，主要面向大容量非易失性存储应用。K9F4G08U0A系列的页面容量为（2K+64）字节，其中2K字节为主数据区域，64字节为备用区。典型页面编程时间约为200µs。该芯片以（128K+4K）字节为一个擦除块，其中128K字节为主数据区域，4K字节为对应的备用空间，典型块擦除时间约为1.5ms。K9F4G08U0A数据寄存器中的内容，可以按照每字节约25ns的周期时间读出。

主要特性：

电压供应- 2.70V ~ 3.60V

存储单元阵列: (512M + 16M) x 8位

数据寄存器: (2K + 64) x 8位

页面编程: (2K + 64)字节 

块擦除: (128K + 4K)字节

页面大小: (2K + 64)字节 

随机读取: 25µs(最大) 

串行访问: 25ns(最小)

页面编程时间：200µs（典型值） 

块擦除时间：1.5ms（典型值）

命令/地址/数据复用I/O端口

硬件数据保护

电源切换期间的程序/擦除锁定

可靠的CMOS浮栅技术
耐用性：10万次编程/擦除循环（带1bit/512字节ECC）
数据保持：10年
内部1bit/528字节EDC的智能回写
独特ID用于版权保护
封装：K9F4G08U0A-PCB0/PIB0 48针 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm间距）
K9F4G08U0A-ICB0/IIB0 52针 ULGA（12 x 17 / 1.00 mm间距）
K9K8G08U1A-ICB0/IIB0 52针 ULGA（12 x 17 / 1.00 mm间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG   K9F4G08U0A系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。