K9K1G08U0M系列是SAMSUNG面向固态大容量存储市场的一款 128M（134,217,728）x8 位的 NAND 闪存，且配备了 4.096K（4,194,304）x8 位的备用区，为数据的拓展和备份提供了有力支持。从数据处理速度来看，在典型情况下，对528 字节的页面执行编程操作，仅需约 200 微秒，就能完成数据写入；而对 16K 字节的块进行擦除操作，大约 2 毫秒即可完成，页面中的数据读取，可以以每字节 50 纳秒的周期时间读取。

K9K1G08U0M在I/O 引脚设计上，它可作为地址和数据输入 / 输出端，同时还能作为命令输入端，确保芯片与外部设备之间的通信高效有序。片上写入控制器可自动执行所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部校验和边缘检测，让芯片内部的数据处理工作有条不紊地进行。

对于写入密集型系统，K9K1G08U0M 凭借自身提供的 10 万次编程 / 擦除循环的延长可靠性，结合实时映射算法实现的 ECC（错误纠正码），为数据的准确性和稳定性保驾护航，也正因如此，K9K1G08U0M - YCB0/YIB0 成为大容量非易失性存储应用的最佳选择，广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携应用等领域。

主要特性

电压供应：2.7V~3.6V
存储单元阵列：(128M 4,096K)位 x 8位
数据寄存器：(512 16)位 x 8位，乘以八平面
页编程：(512 16)字节
块擦除：(16K 512)字节
528字节页面读取操作
随机访问：12微秒(最大)
串行页面访问：50纳秒(最小)
编程时间：200微秒(典型)
块擦除时间：2毫秒(典型)
命令/地址/数据复用I/O端口
硬件数据保护
电源转换期间的编程/擦除锁定
可靠的CMOS浮栅技术
耐用性：10万次编程/擦除循环
数据保持：10年
命令寄存器操作
智能回写操作
封装：K9K1G08U0M-YCB0, K9K1G08U0M-YIB0：48针TSOP I(12 x 20 / 0.5毫米间距)

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG   K9K1G08U0M系列K9K1G08U0M-YCB0、K9K1G08U0M-YIB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。