K9K1208U0A系列以64M×8位（67,108,864字节）的主存储容量搭配2,048K×8位（2,097,152字节）备用区，是SAMSUNG一款面向固态大容量存储市场的NAND存储器。

在程序操作方面，典型200微秒即可完成528字节页面的程序操作，典型2毫秒即可完成16K字节块的擦除操作，页面数据读取周期低至每字节60ns。这种"快写快擦快读"的三快特性，使其在时效敏感型应用中游刃有余。

该系列的I/O引脚灵活复用为地址/数据输入输出端口及命令输入端口，片上写入控制器自动执行全部程序与擦除功能，包括必要时的脉冲重复机制，以及数据的内部验证与边距处理。对于写入密集型系统，配合实时映射算法的ECC纠错码技术，可实现高达10万次程序/擦除循环的扩展可靠性。K9K1208U0A-VCB0/VIB0作为大型非易失性存储应用及便携设备的经典方案，广泛应用于固态文件存储、工业控制、消费电子等对可靠性要求严苛的领域。

主要特性：

电压供应：2.7V~3.6V

存储单元阵列组织：(64M + 2,048K)bit x 8bit 

数据寄存器：(512 + 16)bit x 8bit 

页面编程：(512 + 16)字节 

块擦除：(16K + 512)字节 

528字节页面读取操作 

随机访问：最大10µs 

串行页面访问：最小60ns 

编程时间：典型200µs 

块擦除时间：典型2ms 

命令/地址/数据复用I/O端口

电源转换期间禁止编程/擦除 

可靠的CMOS浮栅技术

耐久性：10万次编程/擦除周期 

数据保持：10年 

封装:K9K1208U0A-VCB0/VIB0：48引脚WSOP I (12X17X0.7mm)

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG   K9K1208U0A系列K9K1208U0A-PIB0、K9K1208U0A-YCB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。