K9GBG08U0A系列是SAMSUNG的一款面向大容量非易失性存储应用的 NAND 闪存芯片。该器件提供 3.3V Vcc工作电压；从操作性能来看，K9GBG08U0A采用大页面 NAND Flash 操作结构。在 8,832 字节的页上，程序操作通常可在 1.3ms 内完成。在约（1M+80K）字节的块上，擦除操作通常可在 1.5ms 内完成。数据寄存器中的数据可以按照对应读取周期时间 tRC 输出，能够满足大容量非易失性存储应用的数据访问需求。

K9GBG08U0A 的 I/O 引脚既是地址和数据输入/输出口，也是命令输入口。这种设计可以让地址、数据和命令通过统一的 I/O 通道进行交互，有助于简化系统接口设计。同时，片上写入控制器可以自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时的脉冲重复，以及数据的内部验证和边界控制。

即使是写入密集型系统，也可以通过ECC，也就是纠错码，以及实时映射算法，从 K9XXG08XXA 提供的 P/E 周期扩展可靠性中受益。也正因如此，K9GBG08U0A 系列广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携应用等领域。

主要特性：

核心电压：3.3V（2.7V ~ 3.6V）

I/O电压：3.3V（2.7V~ 3.6V）

单芯片组织

存储单元阵列：8,832 x 519K x 8位

数据寄存器：(8K 640) x 8位

自动编程和擦除

页读取操作

页大小：(8K 640)字节

随机读取(tR)：250μs（平均典型值），300μs（平均最大值） 

串行访问：25ns（最小）

存储单元：每单元2位 

写入周期时间

命令/地址/数据复用I/O端口

硬件数据保护

电源转换期间的编程/擦除锁定

可靠的CMOS浮栅技术

ECC：40位/(1K 80)字节

版权保护用唯一ID

封装：

K9GBG08U0A-MCB0/MIB0：无铅/无卤封装 52针 LGA（13 x 18 / 1.00 mm 间距） K9LCG08U1A-MCB0/MIB0：无铅/无卤封装 52针 LGA（13 x 18 / 1.00 mm 间距）K9HDG08U5A-MCB0/MIB0：无铅/无卤封装 52针 LGA（13 x 18 / 1.00 mm 间距） K9GBG08U0A-SCB0/SIB：无铅/无卤封装 48针 TSOP（12 x 20 / 1.00 mm 间距） K9LCG08U0A-SCB0/SIB0：无铅/无卤封装 48针 TSOP（12 x 20 / 1.00 mm 间距）K9HDG08U1A-SCB0/SIB0：无铅/无卤封装 48针 TSOP（12 x 20 / 1.00 mm 间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG   K9GBG08U0A系列K9GBG08U0A-SCB0、K9K8G08U0E-SCB0、K9G8G08U0B-YIB0、K9GBG08U0B-SCB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。