K9F2808U0C-XXB0 系列是SAMSUNG一类面向大容量非易失性存储应用的 NAND Flash 芯片。可提供 16M×8 位或 8M×16 位版本，总容量为 128M 位，并带有 4M 位备用容量。器件电压为 1.8V 或 3.3V，适合固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用。

从操作性能来看，K9F28XXX0C 采用典型 NAND Flash 操作结构。编程操作以页面为单位执行：X8 设备页面容量为 528 字节；X16 设备页面容量为 264 字；典型编程时间约为 200µs。擦除操作以块为单位执行：X8 设备块容量为 16K 字节；X16 设备块容量为 8K 字；典型擦除时间约为 2ms。页面内的数据可以以每字 50ns 的周期时间读出，能够满足常见非易失性存储应用对读写效率的要求。

芯片I/O 引脚用于地址和数据的输入/输出，同时也用于命令输入。这种设计让地址、数据、命令通过统一的 I/O 通道进行交互，有助于简化系统接口设计。同时，芯片内部具备片上写控制能力，可以自动完成所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，并对数据进行内部验证和容差检查。这意味着，芯片在写入与擦除过程中具备一定的自动化控制能力，可以帮助提升操作准确性。且支持高达 10 万次编程/擦除循环的可靠性。对于写入频繁的系统，可以通过提供实时映射算法的 ECC，也就是错误纠正码，来提升数据完整性。

主要特性：

1.8V 设备(K9F28XXQ0C)：1.65~1.95V 

3.3V 设备(K9F28XXU0C)：2.7 ~ 3.6V 

页面编程：X8 设备(K9F2808X0C)：(512 16)字节、X16 设备(K9F2816X0C)：(256 8)字 

块擦除：X8 设备(K9F2808X0C)：(16K 512)字节、X16 设备(K9F2816X0C)：(8K 256)字 

页面读取操作：页面大小X8 设备(K9F2808X0C)：(512 16)字节、X16 设备(K9F2816X0C)：(256 8)字 

随机访问：最大10µs - 串行页面访问：最小50ns

编程时间：200µs（典型值） 

块擦除时间：2ms（典型值）

硬件数据保护

在电源转换期间编程/擦除锁定

可靠的CMOS 浮栅技术 

耐久性：100K 次编程/擦除循环

数据保持时间：10 年 

命令寄存器操作

智能回写

用于版权保护的唯一ID 

封装：K9F28XXU0C-YCB0/YIB0 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）

K9F28XXX0C-DCB0/DIB0 63 球 TBGA（9 x 11 / 0.8mm 间距，宽度 1.0 mm） K9F2808U0C-VCB0/VIB0 48 引脚 WSOP I（12X17X0.7mm）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F2808U0C-XXB0系列K9F2808U0C-YCB0、K9F2808U0C-PIB0、K9F2808U0C-PCB0、K9F2808U0C-YIB0芯片裸片离线烧录的量产需求。