K9F2808U0M 系列是SAMSUNG一款16M（16,777,216）x8 位的 NAND 闪存，面向固态大容量存储市场。还额外配备了512K（524,288）x8 位的备用空间，在数据量增长时能派上大用场。在数据处理速度上，一次编程操作通常在 200 微秒内完成 528 字节页面的编程，而一次擦除操作，在 16K 字节块上通常 2 毫秒内就能完成，页面中的数据读取，以每字节 50ns 的周期时间读出，数据传输非常顺畅。

I/O 引脚设计就像一个 “多面手”，既可作为地址和数据输入 / 输出端口，又能作为指令输入端口，极大地方便了芯片与外部设备的交互。片上写入控制器能自动完成所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部校验和边界检查，确保芯片内部的数据处理工作有条不紊地进行。

对于写入强度高的系统，K9F2808U0M 凭借自身提供的高达 1,000,000 次编程 / 擦除周期的高可靠性，结合实时映射算法实现的 ECC（错误纠正码），即使在复杂的写入环境下，也能保证数据的准确性和稳定性。也正因为如此，K9F2808U0M 成为实现大容量非易失性存储的理想方案，广泛应用于固态文件存储、数字语音记录器、数码相机以及其他需要非易失性的便携式应用等众多领域。

主要特性：

电压供应：2.7V~3.6V 

存储单元阵列：(16M 512K)位 x 8位 

数据寄存器：(512 16)位 x 8位 

页编程：(512 16)字节 

块擦除：(16K 512)字节 

528字节页读取操作 

随机访问：10µs（最大） 

串行页访问：50ns（最小） 

编程时间：200µs（典型）

块擦除时间：2ms（典型） 

命令/地址/数据复用I/O端口

电源切换期间的编程/擦除锁定 

可靠的CMOS浮栅技术

耐久性：100万次编程/擦除周期

数据保持：10年 

命令寄存器操作

封装：48脚TSOP Type1 - 12 x 20 / 0.5 mm间距

内部框图
武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG K9F2808U0M系列K9F2808U0M-PIB0、K9F2808U0M-PCB0、K9F2808U0M-YIB0、K9F2808U0M-YCB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。