K9F2808X0B系列是SAMSUNG一款16M（16,777,216）x8 位的 NAND 闪存。配备了 512K（524,288）x8 位备用区，已备不时之需。在供电方面，它提供了 1.8V 或 3.3V 的 Vcc 选择，这使得它能更好地适配不同的电路环境，轻松融入各种应用场景。

从数据处理速度来看，一次编程操作能在典型的200µs 内完成 528 字节页面的编程，能快速完成数据写入。而 16K 字节块的擦除操作，典型时间仅为 2ms。

在数据读取方面，页面中的数据读取速度因型号略有不同，K9F2808U0B 能以每字节 50ns 的周期时间读取出来。

芯片的I/O 引脚，既是地址和数据输入 / 输出的通道，又是命令输入端口，确保芯片与外部设备间的通信高效有序。片上写入控制，可自动化管理所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部验证和余量校验，让芯片内部的数据处理有条不紊地进行。

对于写入量大的系统，K9F2808X0B 凭借自身提供的 100K 编程 / 擦除周期的扩展可靠性，结合实时映射算法实现的错误纠正码（ECC），为数据的准确性和稳定性保驾护航。

主要特性：

K9F2808Q0B：1.7~1.9V - K9F2808U0B：2.7~3.6V

存储单元阵列: (16M 512K)位 x 8位 

数据寄存器: (512 16)位 x 8位 

自动编程和擦除

页面编程: (512 16)字节 

块擦除: (16K 512)字节

528字节页面读取操作 

随机访问: 10µs(最大) 

快速写入周期时间

命令/地址/数据复用 I/O 端口 

硬件数据保护

电源切换期间的程序/擦除锁定 

可靠的CMOS 浮栅技术

耐用性：10 万次程序/擦除循环

数据保持时间：10 年 

命令寄存器操作

封装：K9F2808U0B-YCB0/YIB0：48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）

K9F2808X0B-DCB0/DIB0：63 球 TBGA（9 x 11 / 0.8 mm 间距，宽度 1.0 mm） K9F2808U0B-VCB0/VIB0：48 引脚 WSOP I（12 x 17 x 0.7 mm）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F2808U0B系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。