K9F2808U0A  系列是SAMSUNG一款16M（16,777,216）x8 位的 NAND 闪存。还带有 512K（524,288）x8 位的备用区，这备用区就像是一个额外的 “数据储备库”，为数据的扩展和备份提供了便利。

在数据处理速度方面，一次编程操作通常能在200 微秒内完成 528 字节页的编程，而一次擦除操作，通常在 2 毫秒内就能完成 16K 字节块的擦除，页中的数据读出速度同样可观，可以以每字节 50 纳秒的周期时间读出，数据的读取畅通无阻。

芯片的I/O 引脚既是地址和数据输入 / 输出端口，同时还作为命令输入端，让芯片与外部设备之间的通信变得高效有序。片上写入控制器可自动执行所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部校验和边际调整，确保芯片内部的数据处理有条不紊地进行。

对于写入密集的系统，通过提供带有实时映射算法的ECC（错误纠正码），充分利用自身高达 10 万次的编程 / 擦除循环的扩展可靠性，让数据在频繁写入的情况下依然保持准确无误。也正因如此，K9F2808U0A 成为大容量非易失性存储应用的理想解决方案，广泛应用于固态文件存储、数字语音记录器、数码相机以及其他需要非易失性的便携式应用等领域，为各类设备的数据存储提供了可靠保障。

主要特性：

电压供应：2.7V~3.6V 

存储单元阵列：(16M 512K)bit x 8bit

数据寄存器：(512 16)bit x 8bit 

自动编程和擦除

页编程：(512 16)字节

块擦除：(16K 512)字节

528字节页读取操作 

随机访问：10µs（最大）

串行页访问：50ns（最小）

快速写入周期时间

编程时间：200µs（典型）

块擦除时间：2ms（典型）

命令/地址/数据复用I/O端口

硬件数据保护

电源转换期间的编程/擦除锁定

可靠的CMOS浮栅技术

耐久性：10万次编程/擦除循环

数据保持时间：10年 

命令寄存器操作

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F2808U0A系列K9F2808U0A-YIB0、K9F2808U0A-YCB0、K9F2808U0A-PIB0、K9F2808U0A-PCB0芯片裸片离线烧录的量产需求。