K9F1208X0C 系列是SAMSUNG一款面向大容量非易失性存储应用的 NAND 闪存芯片。它提供 64M×8 位配置，容量为 512Mbit，并有 16Mbit 备用空间，支持 1.8V、2.7V 和 3.3V 电压，能够在成本、容量与性能之间提供较好的综合平衡。

从操作性能来看，K9F1208X0C 对 528 字节数据执行编程操作的典型时间为 200µs。对 16K 字节块执行擦除操作的典型时间为 2ms。页面中的数据可以以每字节 42ns 的周期时间读取，相比不少同类存储器件，具备较好的数据读取效率。

K9F1208X0C 的 I/O 引脚既用于地址和数据的输入/输出，也用于命令输入。这种设计有助于简化系统接口，让地址、数据和命令通过统一的 I/O 通道进行交互。同时，芯片内部具备片上写控制功能，可自动完成所有编程和擦除操作，包括必要时的脉冲重复，以及对数据的内部验证和边界检查。

K9F1208X0C 可提供 10 万次编程/擦除循环的扩展可靠性。对于写入强度高的系统，并通过实时映射算法提供 ECC（错误更正码）。在电子设备中，NAND Flash 常常承担着程序存储、文件保存、配置记录和数据缓存等任务。它不像普通易失性存储器那样断电即失，而是可以在断电后继续保存数据，因此被广泛用于固态文件存储、便携式设备、嵌入式系统和工业控制产品中。

主要特性：

1.8V 设备(K9F1208R0C)：1.65V ~ 1.95V 

2.7V 设备(K9F1208B0C)：2.5V ~ 2.9V 

3.3V 设备(K9F1208U0C)：2.7V ~ 3.6V

存储单元阵列: (64M 2M) x 8位 

数据寄存器: (512 16) x 8位 

自动编程与擦除

页面编程: (512 16) x 8位

块擦除: (16K 512) 字节

页面读取操作

快速写入周期时间

命令/地址/数据复用I/O端口

硬件数据保护

电源转换期间程序/擦除锁定

可靠的CMOS 浮栅技术

耐用性：10 万次编程/擦除周期（带 1bit/512Byte ECC）

数据保存：10年

命令寄存器操作

用于版权保护的唯一ID 

封装：K9F1208U0C-PCB0/PIB0：无铅封装 48针 TSOP I（12 x 20 / 0.5 毫米间距）

K9F1208X0C-JCB0/JIB0：无铅封装 63球 FBGA（8.5 x 13 x 1.2 毫米）

K9F1208B0C-PCB0/PIB0：无铅封装 48针 TSOP I（12 x 20 / 0.5 毫米间距）

内部款图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F1208X0C系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。