K9F1208R0B系列是SAMSUNG的一款512M 位 NAND闪存，它提供了 64Mx8 位的版本，并预留 16M 位备用容量，为未来设备数据量的不断增长，提供了存储条件。在供电方面，提供 1.8V、2.7V 和 3.3V Vcc 三种电压选择，可适配不同的电路环境，无论是对电压要求较为苛刻的高端设备，还是常见的普通电路，它都能 “游刃有余” 地工作。

在数据处理速度上，程序操作在528 字节页面上通常 200 微秒内就能完成，而在 16K 字节块上，抹除操作典型情况下 2 毫秒内即可搞定。页面中的数据读取速度，对于 K9F1208R0B 来说，每字节仅需 60ns 周期时间，数据的 “进进出出” 十分顺畅。

I/O 引脚的设计也极具巧思，既是地址和数据输入 / 输出的端口，又是命令输入的端口，让芯片与外部设备之间的沟通变得高效有序。片上写控更是像一个智能管家，自动化所有程序和擦除功能，包括脉冲重复（如有需要）以及数据的内部验证和边距，确保芯片内部的 “事务” 都能有条不紊地进行。

对于写入密集型系统，K9F1208X0B 通过提供带有实时映射算法的 ECC（纠错码），利用自身 10 万程序 / 擦除周期的扩展可靠性，让数据在频繁写入的情况下依然准确无误，稳如泰山。也正因如此，K9F1208X0B 成为大型非易失性存储应用的理想选择。

主要特性

1.8V 设备(K9F1208R0B)：1.65~1.95V 

2.7V 设备(K9F1208B0B)：2.5~2.9V 

3.3V 设备(K9F1208U0B)：2.7~3.6V 

存储单元阵列：(64M 2048K)位 x 8 位 

数据寄存器：(512 16)位 x 8 位 

页面编程：(512 16)字节

块擦除：(16K 512)字节 

页面大小：(512 16)字节 

随机访问：最大15µs 

串行页面访问：最小50ns （*K9F1208R0B：tRC = 最小 60ns）

编程时间：200µs（典型值）

块擦除时间：2ms（典型值） 

命令/地址/数据复用 I/O 端口

电源切换期间编程/擦除锁定

可靠的CMOS 漂浮栅技术 

10万次编程/擦除周期

数据保持时间：10 年 

命令寄存器操作

版权保护唯一ID

无铅封装：

K9F1208X0B-JCB0/JIB0 63 球 FBGA 无铅封装 

K9F1208U0B-FCB0/FIB0 48 引脚 WSOP I（12X17X0.7mm）无铅封装 

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F1208R0B系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。