K9F1208D0A系列是SAMSUNG的一款512M 位 NAND闪存，并预留 16M 位备用容量。该系列提供 64Mx8bit 或 32Mx16bit 版本，可根据不同系统设计选择对应数据位宽。器件支持 2.65V 和 3.3V VCC 电压，适合嵌入式设备、便携式产品、工业控制、通讯终端以及固态文件存储应用方案。

K9F12XXX0A 系列 NAND 单元面向固态大容量存储市场，具备较好的成本效益。它采用页编程、块擦除的工作方式，适合存放固件、文件系统、参数数据以及其他需要长期保存的信息。典型情况下，程序写入操作可在 528 字节页面上完成，适用于 X8 器件；也可在 264 字页面上完成，适用于 X16 器件。其典型编程时间约为 200 微秒。擦除操作方面，X8 器件可在 16K 字节块上执行，X16 器件可在 8K 字块上执行，典型擦除时间约为 2 毫秒。

页面数据读取方面，X8 器件可按每字节 50ns 的周期读取，X16 器件可按每字 50ns 的周期读取。I/O 引脚同时用于地址输入、数据输入输出以及命令输入，这也是 NAND Flash 常见的接口设计方式。此外，该系列芯片内部集成片上写入控制逻辑，可自动执行编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复、数据内部验证以及边距处理等流程。对于工程应用来说，这些机制有助于提升写入过程的可靠性。

主要特性

2.65V 设备 (K9F12XXD0A) : 2.4~2.9V 

3.3V 设备 (K9F12XXU0A) : 2.7 ~ 3.6 V

X8 设备 (K9F1208X0A) : (64M 2048K) 位 x 8 位 

X16 设备 (K9F1216X0A) : (32M 1024K) 位 x 16 位 

X8 设备 (K9F1208X0A) : (512 16) 位 x 8 位 

X16 设备 (K9F1216X0A) : (256 8) 位 x 16 位

自动程序和擦除

页读取操作

编程时间：200µs（典型值） 

块擦除时间：2ms（典型值） 

命令/地址/数据复用 I/O 端口

硬件数据保护

电源切换期间的编程/擦除锁定 

可靠的 CMOS 浮栅技术 

100K 次编程/擦除周期 

数据保持：10 年

命令寄存器操作

智能回写

用于版权保护的唯一ID 

封装：

K9F12XXX0A-YCB0/YIB0 48引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）

K9F1208U0A-VCB0/VIB0 48引脚 WSOP I（12X17X0.7mm）

K9F12XXX0A-PCB0/PIB0 48引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）无铅封装

K9F1208U0A-FCB0/FIB0 48引脚 WSOP I（12X17X0.7mm）无铅封装 

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F1208D0A系列K9F1208U0A-YIB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。