K9F8G08UXM系列提供1Gx8位规格，是SAMSUNG的一款8G位NAND闪存，并带有256M位备用区。该器件支持 2.7V 和 3.3V VCC 电压，能够适配不同硬件平台的供电需求。对于需要大容量数据存储的产品来说，这类芯片具备较高的应用价值，是固态文件存储、便携式设备、工业控制、通讯终端等应用的非易失性存储方案。

K9F8G08X0M 的 NAND 单元面向固态应用市场，具备较好的成本效益。典型情况下，它可在约 200µs 内完成页面编程操作，并可在约 1.5ms 内完成块擦除操作。数据寄存器中的内容，可按每字节 25ns 的周期时间读出。

它的I/O 引脚同时承担地址输入、数据输入输出以及命令输入功能。片上写入控制器可自动执行全部编程与擦除流程，包括必要时的脉冲重复、数据内部校验以及裕度保护等操作。

尤其在写入密集型系统中，K9F8G08X0M 可通过提供实时映射算法的 ECC 错误校正码，进一步利用其 10 万次编程/擦除周期的扩展可靠性。这对于频繁读写、长期运行的设备来说，是非常关键的设计基础。

主要特性

2.7V 设备(K9F8G08B0M)：2.5V ~ 2.9V 

3.3V 设备(K9F8G08U0M)：2.7V ~ 3.6V

存储单元数组：（1G 32M）× 8位 

数据寄存器：（4K 128）× 8位

自动程序和擦除

页读取操作

快速写入周期时间

数据复用I/O端口

硬件数据保护

电源切换期间的编程/擦除锁定 

可靠的CMOS浮动栅技术

100K次编程/擦除循环（带1bit/512Byte ECC） 

数据保持时间：10年

内部1bit/528Byte EDC的智能回写 

封装：

K9F8G08B0M-PCB0/PIB0 48引脚TSOP1（12 x 20 / 0.5 mm间距） 

K9F8G08U0M-PCB0/PIB0 48引脚TSOP1（12 x 20 / 0.5 mm间距） 

K9F8G08U0M-ICB0/IIB0 52引脚ULGA（12 x 17 / 1.00 mm间距）

K9KAG08U1M-ICB0/IIB0 52引脚ULGA（12 x 17 / 1.00 mm间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F8G08UXM系列K9F8G08U0M-PCB0、K9F8G08U0M-PIB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。