K9F4G08U0F系列是SAMSUNG的一款4G位NAND闪存器件，采用 512Mx8 位配置，并带有 128M 位备用区域，工作电压为 3.3V VCC。它主要面向大容量非易失性存储应用，常用于固态文件存储、便携式设备以及其他需要长期保存数据的产品场景，如消费电子、工业控制、存储终端等嵌入式产品。

K9F4G08U0F 的 NAND 单元面向固态存储应用，具备较高的成本效益。典型情况下，它可在约 400 微秒内完成页面编程操作，在约 4.5 毫秒内完成块擦除操作。数据寄存器中的数据，可按每字节 25ns 的周期时间读出。

同时，该芯片的 I/O 引脚承担多种功能，可用于地址输入、数据输入输出以及命令输入。片上写入控制器可自动执行编程和擦除流程，包括必要时的脉冲重复、内部验证以及余量检测等环节。

主要特性

VCC：3.3V（2.7V ~ 3.6V）
存储单元阵列：（512M 16M）x 8位
页面大小：（2K 64）字节
数据寄存器：（2K 64）x 8位
块大小：（128K 4K）字节
自动编程和擦除
页面读取操作
数据传输速率：SDR 20MHz（40Mbps）
快速写入周期时间
命令/地址/数据复用输入输出端口 · 

硬件数据保护 -

电源转换期间的程序/擦除锁定

命令寄存器操作· 

版权保护的唯一ID

封装：

K9F4G08U0F-Sx1)B0：无铅、无卤素封装 48 引脚 TSOP1（12 x 20 / 0.5 毫米间距） K9K8G08U0F-Sx1)B0：无铅、无卤素封装 48 引脚 TSOP1（12 x 20 / 0.5 毫米间距） K9WAG08U1F-Sx1)B0：无铅、无卤素封装 48 引脚 TSOP1（12 x 20 / 0.5 毫米间距） K9F4G08U0F-5x1)B0：无铅、无卤素封装 63 引脚 FBGA（9 x 11 / 0.8 毫米间距） K9K8G08U0F-5x1)B0：无铅、无卤素封装 63 - FBGA（9 x 11 / 0.8 毫米间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F4G08U0F系列K9F4G08U0F-SIB0、K9F4G08U0F-BIB0、K9F4G08U0F-SCB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。