TC58BVG2S0HTA00是一款采用单电源3.3V供电的NAND E²PROM，容量为4Gbit，即4,429,185,024位。每个页面包含4096字节主数据区和128字节备用区，每个数据块包含64页，整颗芯片共有2048个数据块，相比2KB页面器件，该芯片每页可承载更多数据，适合容量需求较大的嵌入式应用。

TC58BVG2S0HTA00内部配置一个4224字节静态寄存器，页面读取时，芯片先将存储阵列中的目标页面转移到静态寄存器，外部控制器再通过I/O接口读取寄存器内容。页面编程时，先将待写入的数据加载到静态寄存器，再发送编程确认命令，由芯片内部控制器完成存储单元写入。

TC58BVG2S0HTA00利用I/O引脚复用完成地址输入、命令输入以及数据输入输出。在命令阶段，I/O引脚用于接收读取、编程或擦除命令；在地址阶段，负责传输列地址和页面地址；进入数据阶段后，再用于页面数据的输入或输出。这种复用方式能够减少外部引脚数量，也便于同类NAND器件进行容量升级。

TC58BVG2S0HTA00内部控制器能够自动完成编程和擦除操作。使其非常适合用于固态文件存储、语音录制、数码相机图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储的系统。

主要特性：

存储单元阵列：4224 × 128K × 8

寄存器：4224 × 8

页大小：4224 字节

块大小：(256K + 8K) 字节

工作模式

读取、复位、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页复制、多页读取、多页编程、多块擦除、ECC 状态读取

模式控制

串行输入/输出

命令控制

有效块数量

最少：2008 块

最多：2048 块

电源电压

VCC = 2.7V 至 3.6V

存取时间

存储单元阵列到寄存器：55 µs（典型值）（单页读取）/ 90 µs（典型值）（多页读取）

串行读取周期：25 ns（最小值）（负载电容 CL=50pF）

编程/擦除时间

自动分页程序340 µs/页（典型值）

自动块擦除；2.5 ms/块（典型值）

工作电流

读取（25 ns 周期）：最大 30 mA 

编程（平均值）：最大30 mA 

擦除（平均值）：最大30 mA 

待机电流：最大50 µA

封装：TSOP I 48-P-1220-0.50（重量：0.53 g，典型值）

芯片内部集成了针对每528字节的8位ECC纠错功能

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足TOSHIBA东芝TC58BVG2S0HTA00芯片的裸片离线烧录需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。