MSPM0L110x 微控制器是德州仪器（TI）MSP 高度集成超低功耗 32 位 MCU 系列中的成员，基于增强型 Arm® Cortex®-M0+内核构建，最高工作频率可达32 MHz。该系列定位于低功耗、高性价比的嵌入式应用，MSPM0L110x 在存储配置上提供高达 64 KB 的嵌入式闪存程序存储器和 4 KB SRAM，可满足轻量级代码与数据的存储需求。

芯片内置精度高达±1.2% 的高速片上振荡器，无需外接晶体即可稳定工作，简化了硬件设计。此外，它还集成3 通道 DMA、16 位与 32 位 CRC 加速器，以及多种高性能模拟外设：包括一个12 位 1.68 MSPS 模数转换器（ADC）（支持可配置内部电压基准）、一个通用放大器和片上温度传感器，为传感器信号采集、实时监测与简单信号调理提供完整方案。

在智能数字外设方面，MSPM0L110x 配备四个 16 位通用定时器、一个窗口化看门狗定时器，以及丰富的通信接口（两个 UART、一个 SPI、一个 I²C），并为 LIN、IrDA、DALI、Manchester、Smart Card、SMBus、PMBus等协议提供原生支持，便于实现多标准数据交互与联网功能。

该系列具备宽泛的环境适应能力，支持-40 °C至105 °C的工作温度范围，并可在1.62 V 至 3.6 V的电源电压下运行，适用于电池供电及对功耗敏感的便携式设备。MSPM0L110x MCU 融合了多种低功耗运行模式，经过专门优化，可在便携式测量等应用中有效延长电池续航时间。同时，该器件由广泛的硬件与软件生态系统提供支持，随附参考设计和代码示例，帮助开发者快速实现产品整个过程。

主要特性

内核：Arm 32 位 Cortex-M0+ CPU，频率高达 32MHz

工作温度范围：–40°C 至 105°C

宽电源电压范围：1.62V 至 3.6V

存储器：高达 64KB 的闪存、4KB SRAM

高性能模拟外设：一个具有总计多达 10 个外部通道的 12 位 1.68Msps 模数转换器 (ADC)、可配置的 1.4V 或 2.5V 内部 ADC 电压基准 (VREF)、一个通用放大器 (GPAMP)、集成温度传感器

经优化的低功耗模式：

运行：71µA/MHz (CoreMark)

停止：4MHz 时为 151µA，32kHz 时为 44µA

待机：32kHz 16 位计时器运行时为 1.0µA，SRAM/寄存器完全保留，32MHz 时钟唤醒时间为 3.2µs

关断：61nA，具有 IO 唤醒能力

智能数字外设：

3 通道 DMA 控制器

3 通道事件结构信号系统

四个 16 位通用计时器，每个计时器具有两个捕捉/比较寄存器，支持待机模式下的低功耗运行，总共支持 8 个 PWM 通道

窗口化看门狗计时器

增强型通信接口：

两个 UART 接口；一个支持 LIN、IrDA、DALI、Smart Card、Manchester 并且都支持待机模式下的低功耗运行

一个 I2C 接口，支持 FM+ (1Mbit/s)、SMBus、PMBus 和从停止状态唤醒

一个 SPI，支持高达 16Mb/s 的速率

时钟系统：

精度为 ±1.2% 的内部 4MHz 至 32MHz 振荡器 (SYSOSC)

精度为 ±3% 的内部 32kHz 低频振荡器 (LFOSC)

数据完整性

灵活的 I/O 功能：多达 28 个 GPIO、两个 5V 容限开漏 IO

开发支持：2 引脚串行线调试 (SWD)

封装选项：32 引脚 VQFN (RHB)、28 引脚 VSSOP (DGS)、24 引脚 VQFN (RGE)、20 引脚 VSSOP (DGS)、16 引脚 SOT (DYY)、WQFN (RTR)

系列成员包含：MSPM0L1105(32KB 闪存、4KB RAM)、MSPM0L1106(64KB 闪存、4KB RAM)

功能框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足德州仪器（TI）MSPM0L110x 系列芯片的裸片离线烧录与在板烧录的量产需求。